| 专利名称 |
【2017112405110】硅基MOS薄膜发光器件及其制备方法和全光谱薄膜发光器件 |
响应 |
| 声明编号 |
XK2025980001533 |
许可期限 |
2028-03-24 |
专利权人 |
西安交通大学 |
| 生效日期 |
2025-04-11 |
许可费方式 |
无偿 |
支付标准 |
0元 |
| 联系方式 |
联系人姓名：张小宁 邮编：710048 地址：陕西省西安市碑林区咸宁西路28号 电话：13992843923 |
| 访问次数 |
184 |
专利权人类型 |
大专院校 |
IPC分类号 |
H01L 33/20 |
| 备 注 |
|
| 许可情况 |
| 序号 |
备案号 |
被许可人 |
备案日期 |
许可种类 |
| 1 |
X2025980045760 |
西安诺瓦星云科技股份有限公司 |
2025-12-18 |
开放许可 |
| 2 |
X2025980044595 |
西安赛尔电子材料科技有限公司 |
2025-12-16 |
开放许可 |
|
