2008100700111：不同掺杂浓度多分区高击穿电压浅结低温半导体结构及制造方法

专利名称	【2008100700111】不同掺杂浓度多分区高击穿电压浅结低温半导体结构及制造方法					响应
声明编号	XK2024980005381	许可期限	2025-12-31	专利权人	中国电子科技集团公司第二十四研究所
生效日期	2024-08-30	许可费方式	无偿	支付标准	免费许可
联系方式	联系人姓名：周青辉邮编：401120 地址：重庆市江北区科技金融大厦5栋4层电子邮箱：55154759@qq.com 电话：19923981832
访问次数	177	专利权人类型		IPC分类号	H01L 29/06
备注