2013102990251：ECR-PEMOCVD在镀金刚石薄膜的Si上低温沉积InN薄膜的制备方法

专利名称	【2013102990251】ECR-PEMOCVD在镀金刚石薄膜的Si上低温沉积InN薄膜的制备方法					响应
声明编号	XK2024980016967	许可期限	2025-07-31	专利权人	沈阳工程学院
生效日期	2024-12-31	许可费方式	无偿	支付标准	0元
联系方式	联系人姓名：胡俊宇邮编：110136 地址：辽宁省沈阳市沈北新区蒲昌路18号电话：13940564662
访问次数	303	专利权人类型	大专院校	IPC分类号	C23C 16/511
备注