2017108484849：一种大面积二硫化钼薄膜的原子层沉积制备方法

专利名称	【2017108484849】一种大面积二硫化钼薄膜的原子层沉积制备方法					响应
声明编号	XK2024980002450	许可期限	2025-05-01	专利权人	云南师范大学
生效日期	2024-06-11	许可费方式	无偿	支付标准	免费许可
联系方式	联系人姓名：张玉青邮编：650500 地址：云南省昆明市呈贡区聚贤街768号云南师范大学电子邮箱：382103000@qq.com 电话：18487356242
访问次数	494	专利权人类型	大专院校	IPC分类号	C23C 16/30
备注