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专利名称 2020100880100一种利用熔盐电解法生长大面积单晶3R-MoS2薄膜的方法 响应
声明编号 XK2025980002991 许可期限 2026-12-31 专利权人 东华理工大学
生效日期 2025-06-20 许可费方式 无偿 支付标准 0元
联系方式 联系人姓名:张晓峰 邮编:330000 地址:江西省南昌市经济技术开发区广兰大道418号 电子邮箱:zxf1929@ecut.edu.cn 电话:15179174358   
访问次数 70 专利权人类型 IPC分类号 C30B 9/14
备 注
许可情况
序号 备案号 被许可人 备案日期 许可种类
1 X2025980026479 上饶振鑫合金材料有限公司 2025-10-09 开放许可
2 X2025980025253 江西睿达新能源科技有限公司 2025-09-26 开放许可
3 X2025980025241 江西新前沿科技有限公司 2025-09-26 开放许可
4 X2025980022912 江西省金瑞环保科技有限公司 2025-09-16 开放许可
5 X2025980022919 江西科美格新材料有限公司 2025-09-16 开放许可
6 X2025980022904 江西盖亚环保科技有限公司 2025-09-16 开放许可
7 X2025980022218 上饶市聚力新材料科技有限公司 2025-09-11 开放许可
【关 闭】