2022106640167：一种高纵横比的一维有序二氧化钛纳米线阵列薄膜的制备方法

专利名称	【2022106640167】一种高纵横比的一维有序二氧化钛纳米线阵列薄膜的制备方法					响应
声明编号	XK2026980007526	许可期限	2026-12-30	专利权人	桂林理工大学
生效日期	2026-09-01	许可费方式	无偿	支付标准	0元
联系方式	联系人姓名：黄俊杰邮编：541004 地址：广西壮族自治区桂林市七星区建干路12号电子邮箱：122610997@qq.com 电话：18677301842
访问次数	14	专利权人类型		IPC分类号	B01J 21/06
备注