2015100055367：LPCVD初始沉积的炉温的精确控制方法

专利名称	【2015100055367】LPCVD初始沉积的炉温的精确控制方法					响应
声明编号	XK2025980006929	许可期限	2025-12-31	专利权人	上海微世半导体有限公司
生效日期	2025-09-02	许可费方式	无偿	支付标准	0元
联系方式	联系人姓名：杭海燕邮编：200241 地址：上海市闵行区东川路555号丙楼6212室电子邮箱：13918597298@163.com 电话：021-57156788
访问次数	5	专利权人类型		IPC分类号	C23C 16/52
备注