2017106076440：一种Nd2(MoO4)3薄膜的直接制备方法

专利名称	【2017106076440】一种Nd₂(MoO₄)₃薄膜的直接制备方法					响应
声明编号	XK2025980015703	许可期限	2026-05-31	专利权人	桂林理工大学
生效日期	2025-12-02	许可费方式	无偿	支付标准	0元
联系方式	联系人姓名：黄俊杰邮编：541004 地址：广西壮族自治区桂林市七星区建干路12号电子邮箱：122610997@qq.com 电话：18677301842
访问次数	1	专利权人类型		IPC分类号	C25D 9/06
备注