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专利名称 2017112332995一种GaN基倒装薄膜结构近紫外LED的制备方法 响应
声明编号 XK2025980023233 许可期限 2037-11-29 专利权人 广东省科学院半导体研究所
生效日期 2026-01-13 许可费方式 其他 支付标准 许可使用费为2000元/年。许可使用费采用按节点支付的方式。第一年的许可使用费应在双方开放许可合同生效后10个工作日内一次性支付2000元;自双方开放许可合同生效的第二个自然年起,每一年的许可使用费应于该自然年度开始前的10个工作日内一次性支付2000元。
联系方式 联系人姓名:杨洁 邮编:510651 地址:广东省广州市天河区长兴路363号 电子邮箱:yangjie@gdisit.com 电话:17666660767   
访问次数 0 专利权人类型 IPC分类号 H01L 33/00
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【关 闭】