2016105349643：一种利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法

专利名称	【2016105349643】一种利用光刻胶制备三维微电极阵列的方法					响应
声明编号	XK2025980005851	许可期限	2025-12-31	专利权人	深圳先进技术研究院
生效日期	2025-08-12	许可费方式	无偿	支付标准	0元
联系方式	联系人姓名：吴迪邮编：518055 地址：广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号电子邮箱：di.wu@siat.ac.cn 电话：17722806696
访问次数	12	专利权人类型		IPC分类号	G03F 7/00
备注