| 专利名称 |
【2013102990124】ECR-PEMOCVD在AlN缓冲层/金刚石薄膜/Si多层膜结构基片上低温沉积InN薄膜的制备方法 |
响应 |
| 声明编号 |
XK2024980013721 |
许可期限 |
2025-07-31 |
专利权人 |
沈阳工程学院 |
| 生效日期 |
2024-12-13 |
许可费方式 |
无偿 |
支付标准 |
0元 |
| 联系方式 |
联系人姓名：胡俊宇 邮编：110136 地址：辽宁省沈阳市沈北新区蒲昌路18号 电话：13940564662 |
| 访问次数 |
235 |
专利权人类型 |
大专院校 |
IPC分类号 |
C23C 16/34 |
| 备 注 |
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