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专利名称 2020115736422一种硅反外延片的制备方法 响应
声明编号 XK2025980002959 许可期限 2026-05-31 专利权人 中电晶华(天津)半导体材料有限公司
生效日期 2025-06-20 许可费方式 入门费+提成(提成比例) 支付标准 采用入门费和提成费相结合的方式,其中入门费为2000元,提成费按当年度合同产品净销售额的30%提取。
联系方式 联系人姓名:杨蕙泽 邮编:300222 地址:天津市河西区郁江道17号陈塘科技企业孵化器212 电子邮箱:shangwubu@hezhip.com 电话:022-88288265   
访问次数 60 专利权人类型 IPC分类号 C30B 25/02
备 注
【关 闭】