| 专利名称 |
【2018101507115】具有耐压结构的半导体器件及其制作方法 |
响应 |
| 声明编号 |
XK2024980009464 |
许可期限 |
2026-10-31 |
专利权人 |
天津中科先进技术产业有限公司 |
| 生效日期 |
2024-12-03 |
许可费方式 |
分期付款 |
支付标准 |
采用总付额内分期支付的方式，在合同生效后365日内支付第一批次271600元，后在每个会计年度截止前的30日内，分1批次支付，每次支付271600元。包括第一次在内总共支付2次，共计543200元。 |
| 联系方式 |
联系人姓名：杨姝蕾 邮编：300392 地址：天津市西青区海泰发展六道3号星企一号研发楼3层天津中科先进院 电子邮箱：yangshulei@tiat.ac.cn 电话：18519898598 |
| 访问次数 |
215 |
专利权人类型 |
企业 |
IPC分类号 |
H01L 29/78 |
| 备 注 |
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