2019100955693：一种GaN器件栅金属/半导体界面的改善方法

专利名称	【2019100955693】一种GaN器件栅金属/半导体界面的改善方法					响应
声明编号	XK2025980017804	许可期限	2028-11-14	专利权人	西安电子科技大学
生效日期	2025-12-09	许可费方式	无偿	支付标准	0元
联系方式	联系人姓名：李鹏邮编：710126 地址：陕西省西安市长安区西沣路兴隆段266号电话：029-81892583
访问次数	1	专利权人类型		IPC分类号	H01L 21/338
备注