| 专利名称 |
【2018103524755】一种具有P型岛缓冲层结构的抗辐射MOSFET结构 |
响应 |
| 声明编号 |
XK2025110000238 |
许可期限 |
2026-12-31 |
专利权人 |
北京工业大学 |
| 生效日期 |
2025-11-07 |
许可费方式 |
无偿 |
支付标准 |
0元 |
| 联系方式 |
联系人姓名：赵钰锦 邮编：100124 地址：北京市朝阳区平乐园100号知新园408 电子邮箱：zhaoyujin@emails.bjut.edu.cn 电话：18210973947 |
| 访问次数 |
4 |
专利权人类型 |
|
IPC分类号 |
H01L 29/06 |
| 备 注 |
|
| 许可情况 |
| 序号 |
备案号 |
被许可人 |
备案日期 |
许可种类 |
| 1 |
X2025980048323 |
河北雄安雄柘科技服务有限公司 |
2026-01-06 |
开放许可 |
| 2 |
X2025980050426 |
上海亿为科技有限公司 |
2025-12-31 |
开放许可 |
|
