| 专利号 | 2022107136717 | 申请日 | 2022-06-22 | 专利名称 | 一种降低AlN晶体生长应力的生长方法 |
| 授权日 | 2024-01-26 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 张雷;曹文豪;王国栋;俞瑞仙;王守志;刘光霞;陈成敏 |
| 主分类号 | C30B23/02 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种降低AlN晶体生长应力的生长方法，本发明通过在钨籽晶台与AlN籽晶之间设置中间缓冲层，形成双籽晶，中间AlN多晶层的引入能够通过晶界及胶层的缓冲，在很大程度上缓解钨籽晶托带给AlN籽晶的热应力，从而减少籽晶在生长过程中引发的大量裂纹，获得高质量无开裂的AlN单晶。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
