| 专利号 | 2024100889832 | 申请日 | 2024-01-23 | 专利名称 | 一种高击穿电压碳化硅肖特基二极管及其制备方法 |
| 授权日 | 2024-09-17 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 崔鹏;代嘉铖;韩吉胜;汉多科·林纳威赫;徐现刚 |
| 主分类号 | H01L29/872 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种高击穿电压碳化硅肖特基二极管及其制备方法。高击穿电压碳化硅肖特基二极管包括由下至上依次设置的第一金属Ni电极、SiC衬底、n+‑SiC缓冲层、n‑SiC层和p‑GaN帽层，所述p‑GaN帽层贯穿设有凹槽，所述凹槽的下部位于所述n‑SiC层，所述凹槽内设置与所述n‑SiC层顶部和所述p‑GaN帽层顶部相接的金属Ti电极，所述金属Ti电极上设置第二金属Ni电极，所述n‑SiC层、p‑GaN帽层、金属Ti电极和第二金属Ni电极的顶部设置具有开孔的SiO2钝化层。本发明使用p型掺杂GaN与n‑SiC形成异质结，无需增厚n‑SiC即可提高碳化硅肖特基二极管的击穿电压，并具有高可靠性和低成本的优势。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
