| 专利号 | 2016100406103 | 申请日 | 2016-01-21 | 专利名称 | 一种双极型纳米薄膜忆阻器的制备方法 |
| 授权日 | 2018-02-06 | 专利权人 | 山东科技大学 | 发明人 | 郭梅;窦刚;李玉霞;孙钊;李煜;于洋 |
| 主分类号 | H01L45/00 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种双极型纳米薄膜忆阻器的制备方法，其运用在偏压下产生的空穴和电离氧离子为载流子，依靠空穴和电离氧离子产生量的变化实现器件电阻的变化的原理，在现有技术的基础上，从简化工艺与阻变膜纳米陶瓷材料的化学配方两方面着手：通过省略掉阻变膜陶瓷材料的预先烧结步骤、选用纳米陶瓷烧结温度更低的原料，结合采用更低的煅烧温度；并通过以Mg2+部分取代Ti4+进行B位取代，以增大Sr(Ti1‑xMgx)O3‑x分子结构的不对称性、提高内部空穴量等技术手段，简化了制备工艺、缩短了工艺流程、降低了生产能耗和制造成本，并大幅提升了忆阻器的忆阻性能。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
