| 专利号 | 2024106197125 | 申请日 | 2024-05-20 | 专利名称 | 一种碳化硅肖特基二极管及其制作方法 |
| 授权日 | 2024-08-20 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 崔潆心;韩吉胜;王新宇;徐现刚;汉多科·林那威赫 |
| 主分类号 | H01L29/872 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管及其制作方法，其涉及功率器件设计技术领域。包括：4H‑SiC衬底层的上方依次沉积N型SiC外延层和P型SiC外延层；所述N型SiC外延层具有漂移层和缓冲层，且所述漂移层沉积于所述缓冲层的上方，所述漂移层上表面的一侧为N级台阶结构；所述P型SiC外延层包括P型梯形岛和SiO2保护层，所述P型梯形岛沉积于所述SiO2保护层内，且所述SiO2保护层与所述N级台阶结构耦合；所述漂移层上表面的另一侧沉积阳极，所述P型梯形岛与所述阳极连接；所述4H‑SiC衬底层的下方沉积阴极。本发明优化了P型梯形岛两侧附近的强电场分布情况，提升碳化硅肖特基二极管反向工作的稳定性。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
