| 专利号 | 2025117046087 | 申请日 | 2025-11-20 | 专利名称 | 基于位错产生寄生电容效应的光导开关、制备及调谐方法 |
| 授权日 | 2026-02-06 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 孙逊;肖龙飞;李阳凡;陈秀芳;徐现刚 |
| 主分类号 | G02F1/025 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于位错产生寄生电容效应的光导开关、制备及调谐方法，涉及半导体器件技术领域。该制备方法包括步骤：制备碳化硅衬底，在碳化硅衬底上进行错位分析获得不同位错密度衬底区间，并对不同位错密度衬底区间进行分区；在碳化硅衬底上制备复合金属层，并通过光刻、显影、剥离等工艺得到带有光导开关电极结构的正片碳化硅晶片；将去除非电极区域的碳化硅晶片进行合金处理，得到光导开关，之后对光导开关进行划片，获得单个分立的光导半导体器件。本发明通过对光导开关器件衬底位错密度进行调控，利用位错缺陷所引入的电容效应实现对光导开关输出信号半峰宽与频谱的可调谐。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
