| 专利号 | 2025108576525 | 申请日 | 2025-06-25 | 专利名称 | 一种基于动态参数刻蚀与后处理的碳化硅刻蚀方法 |
| 授权日 | 2025-08-26 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 钟宇;苑登文;韩吉胜;徐现刚 |
| 主分类号 | H01L21/3065 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种基于动态参数刻蚀与后处理的碳化硅刻蚀方法，属于微电子制作技术领域，在碳化硅衬底上沉积氧化硅层，匀胶显影形成光刻胶阻挡层；干法刻蚀获得垂直形貌的氧化硅层掩膜，去除表面光刻胶阻挡层；对衬底进行第一次垂直性刻蚀，更换为含氢元素刻蚀气体进行第二次优化刻蚀处理；在第二次优化基础上，固定含氢刻蚀气体流量，改变剩余种类气体比例并逐渐减小偏置功率，进行第三、四次优化刻蚀处理；去除剩余氧化硅层；在晶圆背面形成金属薄膜；退火处理，获得高质量刻蚀表面和圆弧状沟槽形貌。该方法简便易行，刻蚀表面质量高，界面陷阱数量少，底部沟槽形貌良好呈现圆弧状，避免了电场集中，器件电学性能更加优异。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
