| 专利号 | 2016102984714 | 申请日 | 2016-05-06 | 专利名称 | 一种在SiC衬底上制备无缓冲层的单层石墨烯的方法 |
| 授权日 | 2019-08-27 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 陈秀芳;于璨璨;徐现刚 |
| 主分类号 | C04B41/85 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在SiC衬底上制备无缓冲层的单层石墨烯的方法。该方法包括在SiC衬底硅面进行氢刻蚀，形成规则的台阶形貌；通入氩气，进行石墨烯缓冲层的生长；将得到的表面只长有一层石墨烯缓冲层的SiC衬底通过氢气退火，氢原子插入到石墨烯缓冲层与SiC衬底之间，使石墨烯缓冲层成为单层石墨烯。本发明解决了SiC热解法中SiC衬底硅面生长石墨烯时所形成的缓冲层影响石墨烯迁移率的问题，同时得到了真正意义上的无缓冲层的单层石墨烯，可直接应用于射频器件。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
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