| 专利号 | 2021107898769 | 申请日 | 2021-07-13 | 专利名称 | 一种制备二维半导体器件的方法 |
| 授权日 | 2023-12-05 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 谭杨;刘燕然;陈峰 |
| 主分类号 | H01L31/18 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种基于聚焦离子束辐照结合湿法转移制备二维半导体器件的方法，该方法将单层TMDCs与石墨烯堆叠在一起构成异质节，TMDCs在石墨烯上方，最下方的衬底为铜箔，使用聚焦离子束轰击部分TMDCs薄膜，造成TMDs顶层部分原子缺失制造缺陷结构，并降低TMDCs的表面势，得到TMDCs/石墨烯异质结，将TMDCs/石墨烯异质结湿法转移至镀好电极的绝缘硅片衬底上。利用TMDCs与石墨烯间的纵向电子传输，影响石墨烯的电子结构，调控石墨烯N态及P态电子性质，石墨烯呈现P态，无缺陷的TMDCs使石墨烯呈现N态，可以构建厚度仅为几个纳米的集成电路板。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新能源产业 太阳能产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
