| 专利号 | 202310826677X | 申请日 | 2023-07-06 | 专利名称 | 一种基于毛细力的水平双层半导体场效应晶体管及制备方法 |
| 授权日 | 2024-10-18 | 专利权人 | 山东科技大学 | 发明人 | 张雪;朴载勋;杜立彬;李洪宇;郭素敏 |
| 主分类号 | H01L21/331 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于毛细力的水平双层半导体场效应晶体管及制备方法，属于半导体材料及器件技术领域，晶体管属于自下而上依次包括衬底、介电层、半导体层和金属电极，半导体层为水平双层结构半导体。本发明提出一种多沟道模具，设有若干个第一微通道和第二微通道，第一微通道的左端为开口端，右端为封闭端，第二微通道的左端为封闭端，右端为开口端，第一微通道和第二微通道间隔设置；在毛细力的作用下，可同时制备具有水平结构的双层半导体，无需额外的掩膜板。在保证所制备的水平双层半导体晶体管性能的前提下，简化制备工艺、降低制备成本，提高器件的实际应用性。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
