| 专利号 | 2020114427084 | 申请日 | 2020-12-11 | 专利名称 | 一种以卤素化氧化石墨烯为添加剂及空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
| 授权日 | 2022-06-14 | 专利权人 | 中国海洋大学 | 发明人 | 贺本林;孙雪淼;朱景伟 |
| 主分类号 | H01L31/18 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种以卤素化氧化石墨烯为添加剂及空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，具体是利用水热法制得卤素化氧化石墨烯，将其混合在钙钛矿前驱液中，采用液相旋涂法在导电基底/二氧化钛电子传输层表面沉积制备含有卤素化氧化石墨烯添加剂的钙钛矿薄膜，之后旋涂卤素化氧化石墨烯空穴传输层，刮涂碳电极组装成钙钛矿太阳能电池。本发明通过合成多功能卤素化氧化石墨烯，并将其用作添加剂及空穴传输层，制备了大晶粒、低缺陷态、高载流子迁移率和能级合适的钙钛矿薄膜，同时减小了界面能级差和能量损失，阻止了水汽的渗透，使电池的效率和稳定性得到了大幅提高。本发明制备工艺简单易行、材料优化空间大、成本低，具有一定的应用前景。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新能源产业 太阳能产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
