| 专利号 | 2024109792688 | 申请日 | 2024-07-22 | 专利名称 | 一种碳化硅平面栅功率MOSFET及制作方法 |
| 授权日 | 2024-09-27 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 汉多科·林纳威赫;刘芝新;崔鹏;韩吉胜;徐现刚 |
| 主分类号 | H01L29/78 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种碳化硅平面栅功率MOSFET及制作方法，属于功率半导体技术领域，该器件拥有p+区域与n+区域不同的金属形成的欧姆接触，使用间隔物薄介质层实现n+源区的沟道自对准，保证了器件的可靠性，并减小沟道区域的电阻，进而减小器件整体的比导通电阻。该工艺过程中首先进行p+区域的离子注入，使用金属层阻挡之后的n+区域氮离子注入p+区域，该金属层最终随着碳化硅晶圆注入后的热退火，同时在p+区域形成欧姆接触。本发明优化了器件的工艺流程，简化了碳化硅平面栅MOSFET的制作工艺步骤，减少了碳化硅平面栅MOSFET的工艺时间和生产成本，并且分别在n+区域和p+区域实现了不同金属的欧姆接触。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
