| 专利号 | 2023111579572 | 申请日 | 2023-09-08 | 专利名称 | 一种SiC MOSFET各部分栅电容及器件沟道电容的精确提取方法 |
| 授权日 | 2024-04-05 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 崔鹏;王柳;韩吉胜;汉多科·林纳威赫;徐现刚 |
| 主分类号 | H01L21/66 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种SiC MOSFET各部分栅电容及器件沟道电容的精确提取方法，属于微电子领域，四部分电容为并联状态，故总栅电容CG＝2(C1+C2+C3)+C4；根据其它结构尺寸固定的情况下，仅改变d4或d3，测试得到不同器件的栅电容值CG，分别计算得到C4和C3，将相同尺寸和材料的栅极直接沉积在栅氧化层上，栅极与N+‑SiC之间形成的电容即为C1，通过栅极电容测试可直接得到栅电容值C1；P‑SiC形成的沟道电容C2＝(CG‑C4)/2‑C1‑C3。本发明采用器件结构设计结合电容测试线性拟合的方法，将器件的整体电容分块提取，分别精确得到了各部分的栅电容，为器件结构设计优化提供指导。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
