| 专利号 | 2023105661921 | 申请日 | 2023-05-19 | 专利名称 | 无掺杂近紫外响应的近红外二区发光材料及其制备方法 |
| 授权日 | 2024-06-14 | 专利权人 | 青岛大学 | 发明人 | 丁鑫 |
| 主分类号 | C09K11/66 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种无掺杂近紫外响应的近红外二区发光材料及其制备方法，属于发光材料技术领域。其技术方案为：其结构式为A1(x)A2(1‑x)B1(y)B2(1‑y)O3，其中，0.8≤x≤1，0.8≤y≤1，A1或A2为Ca、Sr、Ba、Zn、Mg和Ni中的一种或多种；B1或B2为Si、Ge、Sn、和Pd中的一种或多种。制备方法包括以下步骤：1）按照剂量比称取相应的原料；2）将步骤1）制得的原料粉末煅烧；3）将煅烧后的原料粉末冷却至室温，得到煅烧物；4）将步骤3）得到的煅烧物进行研磨，制得无掺杂近紫外响应的近红外二区发光材料。本发明制备方法简单、无污染、成本低；发光强度高，光谱覆盖范围大。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进有色金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
