| 专利号 | 2025107912105 | 申请日 | 2025-06-13 | 专利名称 | 一种氧硫双空位修饰的SnO2/SnS2/C纳米材料及其制备方法和应用 |
| 授权日 | 2025-08-22 | 专利权人 | 齐鲁理工学院 | 发明人 | 孔震;张浩浩;安娟;庞明远;杨敏;范贵康;沈雨晴 |
| 主分类号 | C01G19/02 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种氧硫双空位修饰的SnO2/SnS2/C纳米材料及其制备方法和应用，属于电极材料技术领域。将结构调控剂与锡盐混合，滴加碱液并搅拌，抽滤得到Sn6O4(OH)4；将葡萄糖和聚乙烯吡咯烷酮加入蒸馏水中，搅拌形成均一溶液，将Sn6O4(OH)4加入均一溶液中并搅拌，超声，水热反应得到SnO2/glucose；将SnO2/glucose与硫源在惰性气氛下煅烧得到氧硫双空位修饰的SnO2/SnS2/C纳米材料。本发明的SnO2/SnS2/C用于锂/钠离子电池负极，能有效缓解锡基氧硫化物的体积膨胀，提高电极材料导电性，且表现出高充放电比容量、优异的倍率性能和大倍率长循环稳定性能。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
