| 专利号 | 2018101134590 | 申请日 | 2018-02-05 | 专利名称 | 一种硅掺杂氮化硼/石墨烯的PN结型紫外探测器制备方法 |
| 授权日 | 2019-12-27 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 慈立杰;彭瑞芹;王旭天;张琳 |
| 主分类号 | H01L31/109 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了硅掺杂氮化硼与石墨烯构建PN结的紫外探测器及制备方法，包括硅掺杂氮化硼纳米颗粒层和石墨烯层，所述硅掺杂氮化硼纳米颗粒层作为紫外吸收层，所述硅掺杂氮化硼纳米颗粒层和石墨烯层之间形成异质结，硅掺杂氮化硼纳米颗粒层中的硅掺杂氮化硼是氮化硼掺杂硅单质形成的n型半导体氮化硼材料。本发明对氮化硼材料进行硅掺杂，形成n型半导体氮化硼材料，结合石墨烯本征p型的特质，形成PN结型紫外探测器。该结构设计简单，能够充分发挥氮化硼材料的本征紫外吸收特点，另一方面利用石墨烯极高的载流子迁移率，两者结合可以有效提高器件速度。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新能源产业 太阳能产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
