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专利号 2020100949445 申请日 2020-02-17 专利名称 一种用于电阻法氮化铝晶体生长炉的热场及其装配方法
授权日 2021-09-03 专利权人 山东大学 发明人 张雷;俞娇仙;刘光霞;陈成敏;赵刚
主分类号 C30B29/40 关键词 应用领域
摘要 本发明涉及一种用于电阻法氮化铝晶体生长炉的热场及其装配方法,属于人工晶体生长技术领域。本发明包括最外层的金属筒、位于金属筒内的侧隔热外屏、侧隔热内屏、下隔热屏和中隔热屏,以及位于中隔热屏上方的上隔热屏,其中,侧隔热外屏为呈环形筒状的氧化锆保温层;金属筒由筒体和底部圆环焊接而成,底部圆环的中部通孔处设置有坩埚支架,坩埚支架上放置有坩埚,侧隔热内屏与坩埚之间悬挂有网状加热器。该热场简单、成本低,并且可以大大降低引入的杂质,从而获得具有深紫外透过率的AlN晶体。
创新点
技术分类 标 签 战兴产业 新材料产业    先进无机非金属材料
运营方式 合作方式
联系人 联系电话 电子邮箱
详细说明
【关 闭】