| 专利号 | 2020108062069 | 申请日 | 2020-08-12 | 专利名称 | 一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法 |
| 授权日 | 2024-03-26 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 冀子武;屈尚达;李睿;时凯居;徐明升;王成新;徐现刚 |
| 主分类号 | H01L33/12 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法，包括：(1)在蓝宝石衬底上依次生长低温GaN缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN超晶格应力释放层；(2)生长InGaN/GaN多量子阱有源区，每个InGaN阱层的生长过程如下：①680～710℃下，使三甲基铟流速由0逐渐增加至600～700sccm，生长第一子层；②温度及步骤①中最大的三甲基铟流速不变，生长第二子层；③降温20～30℃，生长第三子层；(3)依次生长p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN层、p型InGaN欧姆接触层。本发明提高了自发辐射效率，增加了长波长辐射区域的态密度并使得辐射光向长波长方向拓展。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
