| 专利号 | 2021107402123 | 申请日 | 2021-06-30 | 专利名称 | 单、双轴磁阻磁场传感器和制作方法 |
| 授权日 | 2023-06-13 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 陈伟斌;冷群文;朱大鹏;颜世申 |
| 主分类号 | G01R33/09 | 关键词 | 磁阻 | 应用领域 | |
| 摘要 | 本发明涉及单、双轴磁阻磁场传感器和制作方法，衬底上设置有全桥电路，全桥电路包括均为长条形的两个磁阻单元Ⅰ和两个磁阻单元Ⅱ2，全桥电路分成上半部分的两个桥臂和下半部分的两个桥臂，磁阻单元Ⅰ和磁阻单元Ⅱ2平行相对，磁阻单元Ⅰ长轴方向与磁阻单元Ⅱ2的长轴方向一致；磁阻单元Ⅰ、磁阻单元Ⅱ2由磁性薄膜材料组成，磁阻单元Ⅰ和磁阻单元Ⅱ2的自旋产生层的电流流向相反。本发明后期封装更为方便，可靠性强，且封装成本低，设计具有灵活性，根据不同应用，易于设计传感器的灵敏度和测量范围。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 高端装备制造 智能制造装备产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
