| 专利号 | 2017102628610 | 申请日 | 2017-04-20 | 专利名称 | 一种减少碳化硅单晶中包裹体的坩埚及利用坩埚生长单晶的方法 |
| 授权日 | 2019-06-18 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 胡小波;徐现刚;杨祥龙;彭燕;陈秀芳 |
| 主分类号 | C30B29/36 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种减少碳化硅单晶中包裹体的新型坩埚及利用坩埚生长单晶的方法，包括外坩埚和坩埚盖，在外坩埚内设置有内坩埚，所述的内坩埚包括底部和侧壁，侧壁为双层侧壁，双层侧壁包括内壁和外壁，内壁上设置有贯穿内壁的小孔，双层侧壁上端口设置有密封内壁与外壁之间夹层的环形端盖。本发明的内坩埚将处于高温位置容易碳化的SiC粉料封闭于内坩埚的内壁与外壁之间的夹层中，粉料碳化后的微小碳颗粒不能输运到籽晶表面，同时内腔中的粉料对夹层中热解的气相起到过滤作用，避免了碳颗粒传输到SiC单晶表面，从而大大减少SiC单晶中的碳包裹体，生长得到厚度为20mm的SiC单晶无碳包裹体生成。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
