| 专利号 | 2024104389188 | 申请日 | 2024-04-12 | 专利名称 | 一种具有Si掺杂金刚石改质层的复合衬底及半导体器件 |
| 授权日 | 2024-07-23 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 左致远;李筱璇;段学艺;康汝燕;周戬;王晓杉 |
| 主分类号 | H01L21/04 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种具有Si掺杂金刚石改质层的复合衬底及半导体器件。复合衬底的制备方法，包括以下步骤：S1、使用气相化学沉积在金刚石衬底表面生长Si掺杂金刚石改质层；S2、对Si掺杂金刚石改质层进行高温激活；S3、对高温激活后的Si掺杂金刚石改质层进行加工，得到具有Si掺杂金刚石改质层的复合衬底。进一步在复合衬底的Si掺杂金刚石改质层表面低温键合半导体材料即得半导体器件。本发明通过在金刚石衬底表面生长Si掺杂金刚石改质层，整合金刚石衬底的高热导率与Si的亲水性特性，不仅显著增强了散热性能，也在提升材料界面的结合强度和键合效率方面取得了突破。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
