| 专利号 | 2024109240199 | 申请日 | 2024-07-11 | 专利名称 | 基于陷阱态调控提高击穿电压的氮化镓器件及其制备方法 |
| 授权日 | 2024-10-15 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 崔鹏;张铁瀛;韩吉胜;汉多科·林纳威赫;徐现刚 |
| 主分类号 | H01L29/778 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种基于陷阱态调控提高击穿电压的氮化镓器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。器件从下向上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层，帽层上设置有栅极，GaN沟道层上对称设置有源极和漏极，GaN帽层上侧设置有受主陷阱。本发明在GaN HEMT器件的表面添加受主陷阱，不仅能够提高器件的击穿电压，还能够在不影响器件其他性能参数的前提下，简化制造工艺，降低成本，具有重要的实用价值和广阔的市场前景。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
