| 专利号 | 202210438634X | 申请日 | 2022-04-25 | 专利名称 | 一种无定位边的SiC衬底加工及使用方法 |
| 授权日 | 2025-02-11 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 谢雪健;徐现刚;陈秀芳;胡小波 |
| 主分类号 | H01L21/02 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种无定位边的SiC衬底加工方法，包括：对SiC晶体的外圆进行定向；晶体切割；切割取片：将切割片从切割底座中烤片，取出并标记切割片的头片或尾片的碳硅面，并将切割片清洗以去除表面残留的切削液；头、尾片定向：对SiC晶体的头、尾切割片进行定向，验证标记的切割片头片或尾片的[1‑100]、[11‑20]方向；非头尾片定向：将非头尾片与头片和/或尾片重叠放置，使其刀痕重合，然后沿晶片的偏轴方向进行定向，确定晶片的偏轴方向和极性面；碳/硅面标、晶向标记；将标记后的晶片进行后续工艺处理，得到无定位边的SiC衬底。本发明中制备的无定位边SiC衬底作为籽晶或基板生长SiC晶体或外延片时，能够有效降低晶体中微管、应力等缺陷，大幅度提高材料的质量。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
