| 专利号 | 2022105000801 | 申请日 | 2022-05-10 | 专利名称 | 一种富氧缺位掺杂二氧化锆的忆阻器及其制备方法 |
| 授权日 | 2022-09-13 | 专利权人 | 山东科技大学 | 发明人 | 袁方;李玉霞;于相成;邓玥;张鹏 |
| 主分类号 | H01L45/00 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明属于微电子材料与半导体器件技术领域，具体涉及一种富氧缺位掺杂二氧化锆的忆阻器及其制备方法。该忆阻器自上而下依次为上电极、功能层、下电极和衬底，功能层由Zr和ZrO2相互掺杂而形成Zr:ZrO2‑x结构。其制备方法包括清洗衬底、在衬底上依次制备下电极、功能层和上电极；其中，功能层包括制备Zr薄膜和ZrO2薄膜，且制备顺序可互换，都可形成Zr:ZrO2‑x结构。这种结构通过控制Zr和ZrO2相互掺杂的比例使功能层处于缺氧状态，以提高ZrO2中电子的导电能力。本发明制备出的忆阻器具有稳定性好、导电性佳的优点，在微电子材料与半导体器件技术领域具有广阔的应用前景。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
