| 专利号 | 2021105470130 | 申请日 | 2021-05-19 | 专利名称 | 掺杂浓度渐变的圆形漂移区半导体器件及其制备方法 |
| 授权日 | 2022-10-25 | 专利权人 | 济南大学 | 发明人 | 张春伟;向振宇;李阳;岳文静;高嵩;阚皞 |
| 主分类号 | H01L29/06 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种掺杂浓度渐变的圆形漂移区半导体器件及其制备方法，包括：半导体衬底，以及位于半导体衬底表面的漂移区；所述漂移区与半导体衬底之间的边界为圆弧；在所述漂移区全部区域或者设定的部分区域内，其各位置的掺杂浓度处于 |
||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
