| 专利号 | 202211364041X | 申请日 | 2022-11-02 | 专利名称 | 一种非共线反铁磁Mn3Sn单晶薄膜及其分子束外延制备方法 |
| 授权日 | 2025-08-15 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 刘国磊;刘嘉慧;张震;颜世申;陈延学;梅良模 |
| 主分类号 | H01F10/00 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种非共线反铁磁Mn3Sn单晶薄膜及其分子束外延制备方法，属于自旋电子学材料与器件技术领域。薄膜包括由下到上依次设置的衬底和Mn3Sn薄膜，Mn3Sn薄膜晶体取向为(0001)、 |
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| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
