| 专利号 | 2019103428324 | 申请日 | 2019-04-26 | 专利名称 | 一种多孔GaN导电DBR及其制备方法 |
| 授权日 | 2020-10-30 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 张宇;魏斌 |
| 主分类号 | H01L33/10 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种多孔GaN导电DBR及其制备方法，包括自下而上依次生长的衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n型故意掺杂氮化镓层和多孔GaN导电DBR层；所述多孔GaN导电DBR层由高孔洞率多孔GaN层和低孔洞率多孔GaN层交替堆叠形成。本发明不存在晶格失配问题，结构稳定，且多孔GaN导电DBR层具有高反射率、导电性好、中心波长可调的特点。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
