| 专利号 | 2023107453590 | 申请日 | 2023-06-21 | 专利名称 | 一种抑制电压回折现象的低损耗IGBT结构及制备方法 |
| 授权日 | 2024-03-01 | 专利权人 | 中国海洋大学 | 发明人 | 付民;张潇风;刘雪峰;郑冰 |
| 主分类号 | H01L29/739 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种抑制电压回折现象的低损耗IGBT结构及制备方法，属于半导体功率器件领域，其结构在现有结构的基础上，集电极N型区上侧增设P型阻隔层,二者堆叠位于所述集电极P+区右侧，集电极N型区与P型阻隔层堆叠结构中嵌有集电极梯形凸包；N型缓冲层、集电极N型区、P型阻隔层和集电极梯形凸包构成自适应类MOS结构，其中N型缓冲层构成类MOS结构的源区，集电极N型区构成漏区，P型阻隔层构成基区，集电极梯形凸包构成控制栅。本发明无需额外引入背侧栅控制电极，避免了导通初期出现的电压回折现象，在关断时提供了随集电极电压上升自适应展宽的电子抽取通路，进一步缩短关断时间，降低了导通损耗。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
