| 专利号 | 202411782413X | 申请日 | 2024-12-05 | 专利名称 | 具有超宽禁带宽度的氧化钆单晶薄膜及其制备方法与应用 |
| 授权日 | 2025-08-29 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 栾彩娜;肖洪地;张彪;马瑾;吴思齐 |
| 主分类号 | C30B29/16 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有超宽禁带宽度的氧化钆单晶薄膜及其制备方法与应用，Gd2O3单晶薄膜是立方结构的外延单晶薄膜，生长晶面是Gd2O3的(222)和/或(444)，薄膜生长的外延关系Gd2O3(111)//GaN(0001)与 |
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| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
