| 专利号 | 2018114807870 | 申请日 | 2018-12-05 | 专利名称 | 一种氧化镓半导体肖特基二极管及其制作方法 |
| 授权日 | 2023-05-30 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 辛倩;杜路路;徐明升;宋爱民 |
| 主分类号 | H01L29/872 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明的氧化镓(Ga2O3)半导体肖特基二极管，包括半导体层、阳极电极和阴极电极，特征在于：半导体层为Ga2O3薄膜，阳极电极为锡的氧化物(SnOx)。本发明的肖特基二极管的制作方法，包括：a).制备Ga2O3薄片；b).薄片清洗；c).Ga2O3薄片刻蚀；d).制备阴极和金属接触点层；e).退火处理；f).制备SnOx薄膜；g).制备阳极金属触点层。本发明的氧化镓半导体肖特基二极管，理想因子（为1.02）非常接近1、势垒高度为1.17 eV、开关比超过1010，所获取的肖特基二极管性能优良。本发明的肖特基二极管的制作方法，用SnOx作为肖特基接触电极，进而得到高性能的Ga2O3肖特基二极管。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
