| 专利号 | 2023115302338 | 申请日 | 2023-11-16 | 专利名称 | 一种介电可调、低介电损耗的BMZN薄膜材料及其制备方法与应用 |
| 授权日 | 2024-09-27 | 专利权人 | 齐鲁工业大学(山东省科学院) | 发明人 | 张灵翠;石锋;安忠芬;董鲁萍;金敏;黄炳雄 |
| 主分类号 | C04B35/495 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种介电可调、低介电损耗的BMZN薄膜材料及其制备方法与应用，薄膜材料的分子式为Bi1.5MgxZnyNb1.5O7，其中，x：y=（4～1）：（1～4），本发明采用Pechini溶胶‑凝胶法合成一种新型铁电薄膜材料，得到的薄膜致密，孔隙率低，晶界清晰；本发明通过Zn2+的掺杂改性，改变原有离子的运动状态，极大的降低了介电损耗，并且Zn2+的掺杂量使得介电可调，具有良好的温度、化学稳定性，同时介电可调并且具有低的介电损耗、适中的介电常数，与传统的固相法相比，制备工艺简单，过程无污染，反应物在分子水平均匀混合，制备的薄膜纯度和均匀度都较高，能显著提升其介电性能，具有广泛的应用前景。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
