| 专利号 | 2020110047090 | 申请日 | 2020-09-22 | 专利名称 | 一种非晶铟铝锡氧化物半导体薄膜的制备方法 |
| 授权日 | 2023-01-24 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 冯先进;徐伟东 |
| 主分类号 | H01L21/02 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种非晶铟铝锡氧化物半导体薄膜的制备方法，包括：(1)清洗衬底；(2)使用射频磁控溅射法以IATO陶瓷靶作为靶材，在衬底上沉积非晶IATO薄膜；IATO陶瓷靶中In原子所占原子比为10％‑70％，Al原子所占原子比为10％‑50％，Sn原子所占原子比为10％‑50％；(3)在空气中对非晶IATO薄膜进行热退火处理，即得。本发明通过探索和优化制备及热退火工艺参数，制备的非晶铟铝锡氧化物薄膜具有非晶结构，薄膜的表面平整、粗糙度低，具备高的可见光透过率和宽的带隙，同时表现出极高的霍尔迁移率、较低的电阻率以及合适的载流子浓度，在薄膜晶体管等器件领域具备了广阔的应用前景。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
