| 专利号 | 202311594680X | 申请日 | 2023-11-28 | 专利名称 | 一种钯/二硒化钨肖特基晶体管的制备方法 |
| 授权日 | 2024-02-13 | 专利权人 | 济南大学 | 发明人 | 逄金波;侯崇洋;刘瑞;王慧;秦燕;李梦娜;刘宏;周伟家 |
| 主分类号 | H01L21/34 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种钯/二硒化钨肖特基晶体管的制备方法，涉及集成电路制造技术领域。本发明采用电子束蒸发法实现Pd薄膜的构建，采用化学气相沉积法生长，并通过化学生长窗口调节，实现亚厘米级别的WSe2的制备，然后通过湿法转移，将WSe2转移至Pd薄膜上，使得WSe2与Pd形成范德华界面，实现肖特基接触，通过Pd接触构建的Pd/WSe2肖特基晶体管，其转移特性的开/关比提升了100倍，截止电流减小到10‑9 A,展现出更加优异的晶体管性能。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
