| 专利号 | 2019103428610 | 申请日 | 2019-04-26 | 专利名称 | 一种具有导电DBR的GaN基LED的制备方法 |
| 授权日 | 2021-03-30 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 张宇;魏斌 |
| 主分类号 | H01L33/10 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有导电DBR的GaN基LED及其制备方法，属于LED领域，包括衬底，衬底的上表面依次生长有缓冲层、非故意掺杂GaN层、n型掺杂GaN层，n型掺杂GaN层上生长制作有多孔导电DBR层，在多孔导电DBR层上表面依次生长有n型半导体层、MQW有源层、p型半导体层和透明导电层；n型掺杂GaN层上表面的裸露部分设有n电极，透明导电层上设有p电极；多孔导电DBR层为制备透明导电层后经电化学腐蚀后形成的交替堆叠的高孔洞率多孔GaN层与低孔洞率多孔GaN层。本发明通过电化学选择性腐蚀形成多孔GaN/GaN导电DBR结构，提高发光二极管产品的发光效率，降低工艺难度和制作成本。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
