| 专利号 | 2023106967898 | 申请日 | 2023-06-13 | 专利名称 | 一种SiC器件欧姆接触及其制备方法和应用 |
| 授权日 | 2025-02-11 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 汉多科·林纳威赫;钟宇;韩吉胜;徐明升;崔鹏;崔潆心;李树强;徐现刚 |
| 主分类号 | H01L21/285 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种SiC器件欧姆接触及其制备方法和应用，包括：在SiC衬底正面的SiC外延层上制备高掺杂的源极区域，在SiC衬底背面制备用于漏极区域接触的微沟道结构；采用LPCVD的方法在源极区域和漏极区域同时沉积3C‑SiC薄膜；在3C‑SiC薄膜上沉积金属以实现欧姆接触。本发明采用LPCVD的方法在SiC MOSFET的源极、漏极区域沉积高掺杂的3C‑SiC薄膜。通过上述步骤制备的源极和漏极区域的3C‑SiC薄膜能够承受氧气、高湿度、高温和酸洗环境。本发明简化了欧姆接触制备工艺，提高了该步工艺的生产效率。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
