| 专利号 | 2019103895961 | 申请日 | 2019-05-10 | 专利名称 | 采用钙离子掺杂的SiO2膜对压电陶瓷表面进行改性的方法及其应用 |
| 授权日 | 2021-05-18 | 专利权人 | 济南大学 | 发明人 | 黄世峰;关芳;徐洪超;张颖;马凤莲;任彩叶;程新 |
| 主分类号 | C04B41/85 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种采用钙离子掺杂的SiO2膜对压电陶瓷表面进行改性的方法及其应用，针对水泥与压电陶瓷结构和性能的差异，选择钙离子掺杂的SiO2溶胶对压电陶瓷表面进行提拉成膜，从而在压电陶瓷表面形成均匀、稳定的钙离子掺杂的SiO2膜。附着该膜后，压电陶瓷接触角变小、亲水性变好、结合力增强，利于后期与水泥的结合。而且经过改性后压电陶瓷基底的压电性能几乎无变化，相对介电常数和介电损耗变化小，不影响压电陶瓷的正常使用。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
